Le module de puissance SEMiX402GAR066HDs intègre des transistors IGBT à tranchée combinés avec des diodes à récupération rapide. Cette synergie technologique est spécialement développée pour les applications nécessitant une fréquence de commutation élevée et des pertes minimales. L'architecture interne permet une distribution homogène de la chaleur sur la semelle en cuivre isolé.
Ce module constitue le cœur des systèmes modernes de gestion de l'énergie, où chaque watt économisé contribue à la rentabilité globale de l'infrastructure industrielle.
L'utilisation du SEMiX402GAR066HDs garantit une réponse dynamique ultra-rapide face aux variations de charge. Pour l'utilisateur final, cela se traduit par un contrôle extrêmement précis des processus thermiques ou mécaniques, tout en réduisant l'empreinte carbone globale du système de commande de puissance.
| Modèle | SEMiX402GAR066HDs |
| Tension maximale | 660 V |
| Courant de crête | 400 A |
| Type de boîtier | SEMiX 2s |
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